1. 温度范围:8~400 K;
2. 水平励磁:±0.6 T;
3. 微型操作台4个;
4. 25 mm三同轴样品座,40 GHz微波探针 。
1. 可以为材料以及早期的电子器件的非破坏电学测量提供精确的可控环境,使研究者通过方便的、可重复的测量进行基础的科学研究并得到连续的结果。
2. 可以实现在整个温度范围内的IV和CV曲线测试、微波测试、光电实验和水平电磁场测量,研究者可以通过它来进行磁输运测量。
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