1.温度范围: 10 ~ 400 K; 2.磁场范围:水平磁场不低于±0.6 T; 3.4个微操作台,包括2个直流微操作台,2个40 GHz微波微操作台; 4.微操作台的可移动距离X方向不低于50 mm,Y方向不低于25 mm,Z方向不低于16 mm; 5.直流微操作台的漏电流<100 fA,频率范围 DC~50 MHz,测试卡具有Guard保护结构设计,阻值为50 Ω,微射频测量提供很好的匹配阻抗,同时电缆也具有与探针台相同的匹配电阻,适合于进行微弱电信号测量,减少漏电流; 6.显微镜系统光学分辨率≤4 μm,提供环形光和轴向光两种照明光,适合不同材料的测试需要; 7.温度控制:可分别对防辐射屏、样品端、一级冷头、二级冷头进行控温,具有测试臂温度监测功能; 8.配有4200半导体参数分析仪、铁电分析仪、矢量网络分析仪进行相应的性能测试。 |