辉光放电质谱仪

1．质量范围：7~238 amu；

2．灵敏度（总离子流峰高）> 1×1010 cps，1.6×10-9 A，铜样品，中分辨（R≥ 4000）；

3．二次电子倍增器暗流：≤ 0.5 cps；

4．动态范围: > 1012 线性范围, 增益自动交叉校准；

5．质量分辨率（10%峰谷）：3个固定分辨率，LR≥ 300，MR≥ 4000，HR≥ 10000，计算机自动切换，切换时间≤ 1 s；

6．检测器最小积分时间：计数模式≤ 0.1 ms，模拟模式≤ 1 ms，法拉第杯≤ 1 ms；

7．分辨率切换时间：< 1 s；

8．质量稳定性：25 ppm/8小时，不会因分辨率变化而变化；

9．扫描速度(磁场)：< 150 ms（从m/z7到238到7）；

10．扫描速度(电场)：1 ms/跳峰，与质量范围无关；

11．丰度灵敏度：用Cu基体，分辨率> 4000,测量63Cu在m-1（即m/z= 62）处的背景信号，所得丰度灵敏度< 20 ppb；

12．不同基体样品测试切换：3种基体样品/8小时（如：5N Cu、Ni、Si，无交叉污染）；

13．内部重复性，对载入的样品连续重复10次测定，计算相对标准偏差（RSD）：主量成份(大约10~50%) < 3%，次量成份(大约0.1%) < 5%，痕量成份（大约0.01~1ppm） < 10%；

14．外部重复性，对同一样品重复测量，每次测量均应包含测量条件的选择和样品载入的全过程，重复10次测定，计算相对标准偏差（RSD）：主量成份 < 5% ，次量成份 < 10%，痕量成份 <20%。

辉光放电质谱仪专门用于测量高纯金属中微量和痕量元素的含量，例如：在微电子行业分析铜、铝、溅射靶材料中痕量元素的含量；在航空宇宙行业分析铝、不锈钢、合金；在医药食品行业分析不锈钢、合金；在核工业企业分析铀、核燃料；太阳能级硅材料的分析等等。

无

块状导体：1000元/样（不多于30个元素），1500元/样（30~73个元素）；

粉状导体、块状半导体、粉状半导体、块状非导体：1500元/样（不多于30个元素），2000元/样（30~73个元素）；

粉状非导体：2000元/样（不多于30个元素），2500元/样（30~73个元素）；

深度分析：1500/小时（不足一小时按一小时收费）

2000元/样（不多于30个元素，不含样品前处理），3000元/样（30~73个元素，不含样品前处理）；

深度分析：3000/小时（不足一小时按一小时收费）；样品前处理价格另议。