1.温度范围： 室温~1273 K；
2.磁场范围：DC模式下，室温最大磁场1.6 T，变温最大磁场0.8 T，AC模式下，室温最大磁场1.1 T，变温最大磁场0.6 T；
3.可测电阻范围：DC模式下，0.5 mΩ~200 GΩ，AC模式下， 0.5 mΩ~8 GΩ；
4.迁移率测量范围：1×10-3 ~ 1×106 cm2/Vs (AC模式)；
5.载流子浓度：8×10-2 ~ 8×1023 cm-3；
6.激励电流：±1 pA~±100 mA；
7.测试电压：100 V。
该设备可对各类半导体材料进行霍尔测试，测量半导体材料在不同温度下的掺杂级别和类型、载流子浓度、迁移率和电阻率。
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