1. 超亮电子枪和超级单色器,能量分辨率可以达到0.025 eV@60 kV，提供300 kV、200 kV、60 kV和30 kV四个加速电压下的光路和球差校正预合轴设置； 2. TEM信息分辨率≤60 pm@300 kV，<80 pm @200 kV，<100 pm @60 kV； 3. STEM扫描成像系统：STEM分辨率<50pm @300 kV，<70 pm @200 kV，<96 pm @60 kV，<136 pm @30 kV； 4. 配备HAADF 探头和轴向与径向 16 分割 Panther STEM探测器，可采集明场（BF）、环形明场（ABF）、环形暗场（ADF）、低角环形暗场（LAADF）、高角环形暗场（HAADF）以及 DPC和iDPC 信号。可同时采集4幅来自不同角度的电子信号，可在纳米束和微米束两种模式下进行 STEM 成像； 5. 具备差分相位衬度成像（DPC，iDPC）的探头及其配套数据采集和分析软件，可以在低束流的情况下对易损伤样品的轻重元素同时成像； 6. EDS能谱：配有固体角> 4.0 sr的EDS 能谱，元素分析范围:从B（5）- Am（95），能量分辨率<136>1500 kcps，峰背比>2500:1 @Ni K peak，能够实现极低束流下的原子级元素面分析观察，并能完成能谱三维重构分析； 7. 配备最新一代的电子能量损失谱仪系统，通过对不同能量损失的电子进行谱学分析，对材料的元素分布、化学价态、电子结构等信息进行表征。配备K3电子直读相机，能量分辨率≤0.1 eV，EDS与 EELS 高速同步，能够高速同步采集 EDS 能谱及 EELS 谱； 8. 样品台和样品杆：五轴增强型压电陶瓷样品台，可存储和复位五维（X，Y，Z，a，b）坐标，X/Y/Z 三个方向配有压电陶瓷控制器，样品移动范围:X/Y>1 mm，Z> 0.375 mm。配备Ultra-X样品杆2根，最大倾斜角度:35°(a)/30°(b)； 9. 相机：配备底部一体化安装的CMOS相机Ceta S，尺寸:4,096x4,096，像素>14 umx14 um，读取速度>40 fps@4kx4k，>300 fps @512x512，动态范围:16bit； 10. 三维重构：自动化数据收集系统和电子断层扫描技术，可自动采集 TEM、STEM、EDX 三维图像，最大倾转角度士70°，配备线下TEM、STEM、EDX 三维重构软件和数据处理系统； 11. 其他功能：原位加热，自动三维重构，旋进电子衍射，4D-STEM。 | 
