飞行时间二次离子质谱

1. 分析用Bi离子源：

（1）加速电压：30 keV；

（2）离子束流：> 40 nA；

2. G-SIMS分析：有助于有机大分子判定；

3. 剥离用EI离子源、剥离用Cs离子源、Ar离子团簇分析离子源；

4. 质量分析器：非线性反射式质量分析器，具有3米飞行路径；质量范围：1 ～12000 amu以上；质量分辨率：29Si> 12000，在m/z> 200附近可以达17000以上；

5. Orbitrap附件：质量分辨率（200 u）> 240,000，质量范围：50 u ～ 6000 u；

6. FIB附件：Ga团簇离子，离子束电压：15 ～ 30 kV；

7. EDR Analyzer：线性响应范围内最大计数率> 1×10^7 次/秒；

8. 加热制冷附件：-150 ℃ ～ 600 ℃；

9. 检测极限：ppm ～ ppb级；

10. 横向分辨率：～ 50 nm；

11. 深度分辨率：～ 1 nm。

飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）是一种具有超高分析灵敏度的表面表征技术，其检测限可达ppb级，空间分辨率达到亚微米尺度。该技术的工作原理基于脉冲离子束轰击样品表面，通过飞行时间质量分析器对溅射产生的二次离子进行精确质荷比测定。TOF-SIMS不仅能够实现从氢（H）到铀（U）的全元素定性定量分析，还能解析复杂有机分子的结构信息。结合扫描溅射技术，TOF-SIMS还具备三维深度分析能力，可获取材料表面至界面区域的元素和分子二维/三维分布图像。目前TOF-SIMS广泛应用在半导体工艺监控、高分子材料表征、生物医学研究、新能源材料开发、金属材料分析及地质矿物研究等领域，已成为现代材料表面分析领域不可或缺的重要表征手段。

1. 固体样品尺寸要求：8×8 mm ～ 15×15 mm，厚度不大于8 mm，尽量保持样品上下表面平整、干净；

2. 粉末样品要求手摸无明显颗粒感，> 0.3 g，进行压片制样后尺寸要求参见上条；

3. 样品要求真空干燥，无毒，不含腐蚀性物质，不含磁性物质，不含放射性物质，在高真空下稳定不挥发，非低熔点样品（如松香），非易燃易爆品；

4. 样品可以用干净玻璃瓶/皿盛装或铝箔纸包装，不要用有黏性的塑料袋/膜或者粘胶，TOF-SIMS测试样品表面1 ～ 2 nm的信息，对表面测试非常灵敏，错误的包装可能会导致样品表面被污染。

1. 表面谱图600元/样/2模式，包含正负离子两个模式，测试机时1h内；其中结果包括0.5h内数据解析，若数据解析高于0.5h，另行收费；

2. 二维成像、深度剖析：800元/小时；

3. FIB联用、Orbitrap、冷热台：1000元/小时；

4. 惰性传输仓使用200元/次；

5. 数据分析：数据解析高于0.5 h另收费500元/个，复杂数据另议；

6. 测试方法开发300元/小时。

1. 表面谱图1000元/样/2模式，包含正负离子两个模式，测试机时1h内；其中结果包括0.5h内数据解析，若数据解析高于0.5h，另行收费；

2. 二维成像、深度剖析：1500元/小时；

3. FIB联用、Orbitrap、冷热台：1800元/小时；

4. 惰性传输仓使用300元/次；

5. 数据分析：0.5 h内数据解析免费，若数据解析高于0.5 h，收费1000元/个，复杂数据另议；

6. 测试方法开发500元/小时。