1. LED、UED、USD及RBED探测器；
2. 二次电子分辨率：0.6 nm（15 kV），0.7 nm（1 kV）；背散射电子分辨率：1.5 nm（15 kV）；
3. 加速电压：0.01 ~ 30 kV；放大倍数25 ~ 1,000,000倍，误差：3%；
4. EDS：牛津能谱仪（ Ultim Extreme ），分析下限：Li空间分辨率10 nm；电子束束流：10 pA ≤ 束流 ≤ 200 nA，束流强度可连续调节。
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