1. 冷场发射电子枪,电子束能量分辨率<0.5 eV,提供60 kV和200 kV两个加速电压下的光路和球差校正预合轴设置; 2. TEM点分辨率≤0.24 nm,信息分辨率≤0.13 nm,晶格分辨率≤0.10 nm; 3. STEM分辨率≤0.078 nm@200 kV,具有BF、ABF和HAADF三种STEM成像模式,各探头收集角单独可调,具有自动聚光镜球差校正功能; 4. 电子衍射包括SAED、NBD和CBED三种模式;电子衍射相机长度0.1~1.5 m范围; 5. 二次电子模式探头,可用于对样品表面及近表面(<10 nm深度)的结构进行原子分辨率SEM成像,分辨率≤0.2 nm; 6. EDS能谱:双探头,兼容气氛环境原位分析,探测器的总有效面积>160 mm2,接收固体角>1.0 sr,能量分辨率≤127 eV; 7. 配备最新一代的电子能量损失谱仪系统(Gatan 1065),通过对不同能量损失的电子进行谱学分析,对材料的元素分布、化学价态、电子结构等信息进行表征; 8. 样品台和样品杆:(1)配备标准单倾样品杆和标准铍双倾样品杆;(2)配备可与气体环境联用的 MEMS式原位加热样品杆和差分泵抽真空系统;(3)配备封闭式加热气体样品杆,最高加热温度为800 ºC;(4)空气保护冷冻传输原位样品杆; 9. 相机:配备底部安装的快速CMOS相机和高性能底插Gatan ClearView相机,具有原位成像功能。 |