1. 冷场场发射电子枪；
2.优异的低电压高分辨成像能力，SEI分辨率0.6 nm @15 kV，0.7 nm @1 kV；
3. 加速电压：0.2 kV ~ 30 kV ；
4. 配备TD顶探头，实现极表面高分辨成像；
5. 配备大面积晶体能谱仪（牛津UltimMax100），元素分析范围：4 Be ~ 98 Cf ；
6. 高速EBSD：牛津Symmetry S3，最高标定速度≥ 5700 pps；取向精度≤ 0.05度；
1. 二次电子形貌像观测；背散射电子成像观测；能谱定性定量分析、EBSD结构与织构分析;
2. 实现纳米级高分辨成像，尤其适用于不导电样品的低电压高分辨成像；
3. 可实现样品高分辨极表面成像。
上一条：原位功能扫描电镜（预计2025.04运行） 下一条：三维原子探针（预计2025.04运行）
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